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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP2N100
IXTP2N100 Image
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IXTP2N100 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP2N100
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP2N100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(A,P)2N100.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9851

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Spezifikation

IXTP2N100 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP2N100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP2N100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 100W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 825 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP2N100.

Produkteigenschaften IXTP2N100 IXTP36P15P IXTP42N25P IXTP42N15T
Artikelnummer IXTP2N100 IXTP36P15P IXTP42N25P IXTP42N15T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc) 36A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer IXTP2 IXTP36 IXTP42 IXTP42
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1A, 10V 110mOhm @ 18A, 10V 84mOhm @ 500mA, 10V 45mOhm @ 500mA, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 825 pF @ 25 V 3100 pF @ 25 V 2300 pF @ 25 V 1880 pF @ 25 V
Serie - Polar P3™ Polar Trench
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 100W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 200W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 150 V 250 V 150 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXTP2N100 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP2N100 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP2N100 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,P)2N100.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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