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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP36P15P
IXTP36P15P Image
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IXTP36P15P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP36P15P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP36P15P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 150V 36A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(A,P,Q)36P15P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 11176

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Anzahl

Spezifikation

IXTP36P15P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP36P15P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP36P15P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie Polar P3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP36  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP36P15P.

Produkteigenschaften IXTP36P15P IXTP240N055T IXTP450P2 IXTP2N60P
Artikelnummer IXTP36P15P IXTP240N055T IXTP450P2 IXTP2N60P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 18A, 10V 3.6mOhm @ 25A, 10V 330mOhm @ 8A, 10V 5.1Ohm @ 1A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V 7600 pF @ 25 V 2530 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V
Grundproduktnummer IXTP36 IXTP240 IXTP450 IXTP2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 480W (Tc) 300W (Tc) 55W (Tc)
Serie Polar P3™ TrenchT2™ PolarP2™ Polar™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 55 V 500 V 600 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Tc) 240A (Tc) 16A (Tc) 2A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

IXTP36P15P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP36P15P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP36P15P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,P,Q)36P15P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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