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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP2N60P
IXTP2N60P Image
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IXTP2N60P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP2N60P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP2N60P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 2A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(P,Y)2N60P.pdf
vorrätig: 4200

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Anzahl

Spezifikation

IXTP2N60P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP2N60P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP2N60P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie Polar™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1Ohm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 55W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP2N60P.

Produkteigenschaften IXTP2N60P IXTP44N10T IXTP3N100P IXTP260N055T2
Artikelnummer IXTP2N60P IXTP44N10T IXTP3N100P IXTP260N055T2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verlustleistung (max) 55W (Tc) 130W (Tc) 125W (Tc) 480W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V 1262 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc) 44A (Tc) 3A (Tc) 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1Ohm @ 1A, 10V 30mOhm @ 22A, 10V 4.8Ohm @ 1.5A, 10V 3.3mOhm @ 50A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 25µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie Polar™ Trench Polar P3™ TrenchT2™
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Grundproduktnummer IXTP2 IXTP44 IXTP3 IXTP260
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 100 V 1000 V 55 V

IXTP2N60P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP2N60P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP2N60P - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mule Devices EOL 21/Mar/2018.pdf
Datenblätter
IXT(P,Y)2N60P.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
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