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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysQS8M51TR
QS8M51TR Image
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QS8M51TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
QS8M51TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-QS8M51TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
QS8M51TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 76370

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Anzahl

Spezifikation

QS8M51TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - QS8M51TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - QS8M51TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 325mOhm @ 2A, 10V  
Leistung - max 1.5W  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A, 1.5A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer QS8M51  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor QS8M51TR.

Produkteigenschaften QS8M51TR QS8J4TR QS8K11TCR QS8J12TCR
Artikelnummer QS8M51TR QS8J4TR QS8K11TCR QS8J12TCR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate, 1.5V Drive
Grundproduktnummer QS8M51 QS8J4 QS8K11 QS8J12
Supplier Device-Gehäuse TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 5V 13nC @ 10V 3.3nC @ 5V 40nC @ 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V 800pF @ 10V 180pF @ 10V 4200pF @ 6V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 30V 30V 12V
Konfiguration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A, 1.5A 4A 3.5A 4.5A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 325mOhm @ 2A, 10V 56mOhm @ 4A, 10V 50mOhm @ 3.5A, 10V 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Serie - - - -
Leistung - max 1.5W 550mW 1.5W 550mW

QS8M51TR Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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