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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysCSD85312Q3E
Texas Instruments
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

CSD85312Q3E - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD85312Q3E
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD85312Q3E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
CSD85312Q3E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 79520

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Anzahl

Spezifikation

CSD85312Q3E Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD85312Q3E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD85312Q3E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-VSON (3.3x3.3)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 10A, 8V  
Leistung - max 2.5W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2390pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.2nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 5V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 39A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Source  
Grundproduktnummer CSD85312  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD85312Q3E.

Produkteigenschaften CSD85312Q3E CSD87313DMST CSD83325L CSD86311W1723
Artikelnummer CSD85312Q3E CSD87313DMST CSD83325L CSD86311W1723
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Leistung - max 2.5W 2.7W 2.3W 1.5W
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 12V 25V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Source 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual)
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 10A, 8V - - 39mOhm @ 2A, 8V
FET-Merkmal Logic Level Gate, 5V Drive - - Logic Level Gate
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.2nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V 10.9nC @ 4.5V 4nC @ 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 39A - - 4.5A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2390pF @ 10V 4290pF @ 15V - 585pF @ 12.5V
Grundproduktnummer CSD85312 CSD87313 CSD83325 CSD86311
Supplier Device-Gehäuse 8-VSON (3.3x3.3) 8-WSON (3.3x3.3) 6-PicoStar 12-DSBGA
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.25V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerWDFN 6-XFBGA 12-UFBGA, DSBGA

CSD85312Q3E Datenblatt PDF

Laden Sie CSD85312Q3E PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD85312Q3E - Texas Instruments herunter.

PCN -Verpackung
Retraction of Parts 27/Aug/2018.pdf
PCN -Design/Spezifikation
ID symbolization Change 04/Mar/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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