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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelAPT20SCD65K
Microsemi Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT20SCD65K - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
APT20SCD65K
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-APT20SCD65K
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE SIL CARB 650V 32A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-2
Datenblatt
APT20SCD65K.pdf
vorrätig: 3630

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Spezifikation

APT20SCD65K Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - APT20SCD65K Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - APT20SCD65K

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 20 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 650 V  
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-2  
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie -  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-220-2  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Through Hole  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 400 µA @ 650 V  
Strom - Richt (Io) 32A  
Kapazität @ Vr, F 680pF @ 100mV, 1MHz  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation APT20SCD65K.

Produkteigenschaften APT20SCD65K APT24M120B2 APT20N60BCF APT20M40JNX
Artikelnummer APT20SCD65K APT24M120B2 APT20N60BCF APT20M40JNX
Hersteller Microsemi Corporation Microchip Technology APT APT
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220-2 T-MAX™ [B2] - -
Paket Bulk Tube - -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns - - -
Strom - Richt (Io) 32A - - -
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 400 µA @ 650 V - - -
Spannung - Sperr (Vr) (max) 650 V - - -
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 20 A - - -
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-2 TO-247-3 Variant - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole - -
Serie - POWER MOS 8™ - -
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky MOSFET (Metal Oxide) - -
Kapazität @ Vr, F 680pF @ 100mV, 1MHz - - -

APT20SCD65K Datenblatt PDF

Laden Sie APT20SCD65K PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für APT20SCD65K - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices 16/Oct/2017.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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Microsemi Corporation

APT20SCD65K

Microsemi Corporation
32D-APT20SCD65K

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