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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT21M100J
APT21M100J Image
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APT21M100J - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT21M100J
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT21M100J
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1268

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Anzahl

Spezifikation

APT21M100J Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT21M100J Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT21M100J

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®  
Serie POWER MOS 8™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 462W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc)  
Grundproduktnummer APT21M100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT21M100J.

Produkteigenschaften APT21M100J APT22F80B APT20M38BVFRG APT24M120B2
Artikelnummer APT21M100J APT22F80B APT20M38BVFRG APT24M120B2
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microsemi Corporation Microchip Technology
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8500 pF @ 25 V 4595 pF @ 25 V 6120 pF @ 25 V 8370 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 800 V 200 V 1200 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 462W (Tc) 625W (Tc) 370W (Tc) 1040W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP® TO-247 [B] TO-247 [B] T-MAX™ [B2]
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 5V @ 1mA 4V @ 1mA 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 16A, 10V 500mOhm @ 12A, 10V 38mOhm @ 500mA, 10V 630mOhm @ 12A, 10V
Serie POWER MOS 8™ - POWER MOS V® POWER MOS 8™
Grundproduktnummer APT21M100 APT22F80 - APT24M120
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 Variant
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc) 23A (Tc) 67A (Tc) 24A (Tc)

APT21M100J Datenblatt PDF

Laden Sie APT21M100J PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT21M100J - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Microchip Technology
32D-APT21M100J

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