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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysPHC21025,118
Nexperia USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PHC21025,118 - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PHC21025,118
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PHC21025,118
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
PHC21025.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4590

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Anzahl

Spezifikation

PHC21025,118 Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - PHC21025,118 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - PHC21025,118

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 20V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A, 2.3A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer PHC21025  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. PHC21025,118.

Produkteigenschaften PHC21025,118 FDG6313N SI7942DP-T1-E3 AO4826
Artikelnummer PHC21025,118 FDG6313N SI7942DP-T1-E3 AO4826
Hersteller Nexperia USA Inc. onsemi Vishay Siliconix Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie - - TrenchFET® -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A, 2.3A 500mA 3.8A -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer PHC21025 FDG6313 SI7942 AO482
Supplier Device-Gehäuse 8-SO SC-88 (SC-70-6) PowerPAK® SO-8 Dual 8-SOIC
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 20V 50pF @ 10V - 2300pF @ 30V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Leistung - max 2W 300mW 1.4W 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 2.3nC @ 4.5V 24nC @ 10V 58nC @ 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PowerPAK® SO-8 Dual 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Konfiguration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V 450mOhm @ 500mA, 4.5V 49mOhm @ 5.9A, 10V 25mOhm @ 6.3A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 25V 100V 60V
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA 1.5V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA

PHC21025,118 Datenblatt PDF

Laden Sie PHC21025,118 PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für PHC21025,118 - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Logo 10/Dec/2016.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo Marking Update 30/Nov/2016.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices EOL 12/Jul/2018.pdf Mult Devices EOL 30/Jun/2018.pdf
Datenblätter
PHC21025.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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