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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTY60NK30Z
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STY60NK30Z - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STY60NK30Z
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STY60NK30Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 60A MAX247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STY60NK30Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5682

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Anzahl

Spezifikation

STY60NK30Z Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STY60NK30Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STY60NK30Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse MAX247™  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 450W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  
Grundproduktnummer STY60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STY60NK30Z.

Produkteigenschaften STY60NK30Z STY60NM60 STY112N65M5 STY145N65M5
Artikelnummer STY60NK30Z STY60NM60 STY112N65M5 STY145N65M5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 266 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 414 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse MAX247™ MAX247™ MAX247™ MAX247™
Grundproduktnummer STY60 STY60 STY112 STY145
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 60A (Tc) 96A (Tc) 138A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 600 V 650 V 650 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 450W (Tc) 560W (Tc) 625W (Tc) 625W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7200 pF @ 25 V 7300 pF @ 25 V 16870 pF @ 100 V 18500 pF @ 100 V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie SuperMESH™ MDmesh™ MDmesh™ V MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 30A, 10V 55mOhm @ 30A, 10V 22mOhm @ 47A, 10V 15mOhm @ 69A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

STY60NK30Z Datenblatt PDF

Laden Sie STY60NK30Z PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STY60NK30Z - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Datenblätter
STY60NK30Z.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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