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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTY60NM50
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STY60NM50 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STY60NM50
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STY60NM50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STY60NM50.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1878

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Anzahl

Spezifikation

STY60NM50 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STY60NM50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STY60NM50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse MAX247™  
Serie MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 560W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 266 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  
Grundproduktnummer STY60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STY60NM50.

Produkteigenschaften STY60NM50 STY100NS20FD STY80NM60N STY140NS10
Artikelnummer STY60NM50 STY100NS20FD STY80NM60N STY140NS10
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 30A, 10V 24mOhm @ 50A, 10V 35mOhm @ 37A, 10V 11mOhm @ 70A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±25V ±20V
Serie MDmesh™ MESH OVERLAY™ MDmesh™ II MESH OVERLAY™
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V 7900 pF @ 25 V 10100 pF @ 50 V 12600 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 560W (Tc) 450W (Tc) 447W (Tc) 450W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 100A (Tc) 74A (Tc) 140A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 266 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 600 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 200 V 600 V 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer STY60 STY100 STY80N STY140
Supplier Device-Gehäuse MAX247™ MAX247™ MAX247™ MAX247™

STY60NM50 Datenblatt PDF

Laden Sie STY60NM50 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STY60NM50 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG-PWR/14/8674 02/Sep/2014.pdf
Datenblätter
STY60NM50.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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