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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTY80NM60N
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STY80NM60N - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STY80NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STY80NM60N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 74A MAX247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STY80NM60N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4460

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Anzahl

Spezifikation

STY80NM60N Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STY80NM60N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STY80NM60N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse MAX247™  
Serie MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 37A, 10V  
Verlustleistung (max) 447W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10100 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 74A (Tc)  
Grundproduktnummer STY80N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STY80NM60N.

Produkteigenschaften STY80NM60N STY100NS20FD STY60NM60 STY60NM50
Artikelnummer STY80NM60N STY100NS20FD STY60NM60 STY60NM50
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 266 nC @ 10 V 266 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10100 pF @ 50 V 7900 pF @ 25 V 7300 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 74A (Tc) 100A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V ±20V ±30V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 200 V 600 V 500 V
Grundproduktnummer STY80N STY100 STY60 STY60
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Verlustleistung (max) 447W (Tc) 450W (Tc) 560W (Tc) 560W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse MAX247™ MAX247™ MAX247™ MAX247™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie MDmesh™ II MESH OVERLAY™ MDmesh™ MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 37A, 10V 24mOhm @ 50A, 10V 55mOhm @ 30A, 10V 50mOhm @ 30A, 10V

STY80NM60N Datenblatt PDF

Laden Sie STY80NM60N PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STY80NM60N - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG-PWR/14/8674 02/Sep/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet OBS 21/Dec/2017.pdf
Datenblätter
STY80NM60N.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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