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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTY139N65M5
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STY139N65M5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STY139N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STY139N65M5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STY139N65M5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1484

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Spezifikation

STY139N65M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STY139N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STY139N65M5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse MAX247™  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 65A, 10V  
Verlustleistung (max) 625W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15600 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 363 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc)  
Grundproduktnummer STY139  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STY139N65M5.

Produkteigenschaften STY139N65M5 STY112N65M5 STY100NS20FD STY60NM50
Artikelnummer STY139N65M5 STY112N65M5 STY100NS20FD STY60NM50
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 65A, 10V 22mOhm @ 47A, 10V 24mOhm @ 50A, 10V 50mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device-Gehäuse MAX247™ MAX247™ MAX247™ MAX247™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 363 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 266 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc) 96A (Tc) 100A (Tc) 60A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15600 pF @ 100 V 16870 pF @ 100 V 7900 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 650 V 200 V 500 V
Grundproduktnummer STY139 STY112 STY100 STY60
Serie MDmesh™ V MDmesh™ V MESH OVERLAY™ MDmesh™
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 625W (Tc) 625W (Tc) 450W (Tc) 560W (Tc)

STY139N65M5 Datenblatt PDF

Laden Sie STY139N65M5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STY139N65M5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf STY1xxN65M5 27/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Datenblätter
STY139N65M5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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