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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTY140NS10
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STY140NS10 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STY140NS10
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STY140NS10
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 140A MAX247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STY140NS10.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2609

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Spezifikation

STY140NS10 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STY140NS10 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STY140NS10

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse MAX247™  
Serie MESH OVERLAY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 70A, 10V  
Verlustleistung (max) 450W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 600 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 140A (Tc)  
Grundproduktnummer STY140  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STY140NS10.

Produkteigenschaften STY140NS10 STY105NM50N STY112N65M5 STY34NB50
Artikelnummer STY140NS10 STY105NM50N STY112N65M5 STY34NB50
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer STY140 STY105 STY112 STY34N
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 600 nC @ 10 V 326 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 223 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12600 pF @ 25 V 9600 pF @ 100 V 16870 pF @ 100 V 9100 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 450W (Tc) 625W (Tc) 625W (Tc) 450W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse MAX247™ MAX247™ MAX247™ MAX247™
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie MESH OVERLAY™ MDmesh™ II MDmesh™ V PowerMESH™
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 70A, 10V 22mOhm @ 52A, 10V 22mOhm @ 47A, 10V 130mOhm @ 17A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 140A (Tc) 110A (Tc) 96A (Tc) 34A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 500 V 650 V 500 V

STY140NS10 Datenblatt PDF

Laden Sie STY140NS10 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STY140NS10 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STY140NS10.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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