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ZuhauseProdukteIsolatorenOptoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-AusgangTCET1104G
Vishay Semiconductor Opto Division
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TCET1104G - Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller Artikelnummer
TCET1104G
Hersteller
Vishay Semiconductor - Opto Division
Allelco Artikelnummer
32D-TCET1104G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-DIP (0.400', 10.16mm)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf
RoHS Status
vorrätig: 184100

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Spezifikation

TCET1104G Tech -Spezifikationen
Vishay Semiconductor Opto Division - TCET1104G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Semiconductor Opto Division - TCET1104G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay Semiconductor - Opto Division  
Spannung - Ausgabe (max) 70V  
Spannung - Isolation 5000Vrms  
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V  
VCE Sätttigung (max) 300mV  
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 6µs, 5µs  
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 3µs, 4.7µs  
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.400', 10.16mm)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Ausgabetyp Transistor  
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C  
Anzahl der Kanäle 1  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp DC  
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 160% @ 10mA  
Stromübertragungsverhältnis (max) 320% @ 10mA  
Strom - Ausgang / Kanal 50mA  
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA  
Grundproduktnummer TCET1104  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Semiconductor Opto Division TCET1104G.

Produkteigenschaften TCET1104G TCET1102G TCET1110 TCET1109G
Artikelnummer TCET1104G TCET1102G TCET1110 TCET1109G
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division
Eingabetyp DC DC DC DC
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie - - - -
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V 1.25V 1.25V 1.25V
Grundproduktnummer TCET1104 TCET1102 TCET11 TCET1109
Spannung - Ausgabe (max) 70V 70V 70V 70V
Anzahl der Kanäle 1 1 1 1
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 6µs, 5µs 6µs, 5µs 6µs, 5µs 6µs, 5µs
Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA 60 mA 60 mA 60 mA
Spannung - Isolation 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms 5000Vrms
Strom - Ausgang / Kanal 50mA 50mA 50mA 50mA
Stromübertragungsverhältnis (max) 320% @ 10mA 125% @ 10mA 600% @ 5mA 400% @ 5mA
Supplier Device-Gehäuse 4-DIP 4-DIP 4-DIP 4-DIP
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs 3µs, 4.7µs
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 160% @ 10mA 63% @ 10mA 50% @ 5mA 200% @ 5mA
Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 110°C -40°C ~ 100°C
VCE Sätttigung (max) 300mV 300mV 300mV 300mV
Ausgabetyp Transistor Transistor Transistor Transistor
Verpackung / Gehäuse 4-DIP (0.400', 10.16mm) 4-DIP (0.400', 10.16mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.400", 10.16mm)

TCET1104G Datenblatt PDF

Laden Sie TCET1104G PDF -Datenblätter und Vishay Semiconductor Opto Division -Dokumentation für TCET1104G - Vishay Semiconductor Opto Division herunter.

Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf
HTML -Datenblatt
TCET1100(G) - TCET1109(G).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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