C3M0075120K Tech -Spezifikationen
Wolfspeed, Inc. - C3M0075120K Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Wolfspeed, Inc. - C3M0075120K

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Wolfspeed
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 5mA
Vgs (Max)	+19V, -8V
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-247-4L
Serie	C3M™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 20A, 15V
Verlustleistung (max)	113.6W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-247-4
Paket	Tube

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1350 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 15 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	30A (Tc)
Grundproduktnummer	C3M0075120

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Wolfspeed, Inc. C3M0075120K.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	C3M0075120K	STB42N65M5	C3M0060065K	C3M0032120D
Hersteller	Wolfspeed, Inc.	STMicroelectronics	Wolfspeed, Inc.	Wolfspeed, Inc.
Verlustleistung (max)	113.6W (Tc)	190W (Tc)	150W (Tc)	283W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	30A (Tc)	33A (Tc)	37A (Tc)	63A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	15V	10V	15V	15V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1350 pF @ 1000 V	4650 pF @ 100 V	1020 pF @ 600 V	3357 pF @ 1000 V
Vgs (Max)	+19V, -8V	±25V	+15V, -4V	+15V, -4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 20A, 15V	79mOhm @ 16.5A, 10V	79mOhm @ 13.2A, 15V	43mOhm @ 40A, 15V
Serie	C3M™	MDmesh™ V	C3M™	C3M™
FET-Merkmal	-	-	-	-
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 5mA	5V @ 250µA	3.6V @ 5mA	3.6V @ 11.5mA
Supplier Device-Gehäuse	TO-247-4L	D2PAK	TO-247-4L	TO-247-3
Befestigungsart	Through Hole	Surface Mount	Through Hole	Through Hole
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Verpackung / Gehäuse	TO-247-4	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-247-4	TO-247-3
Paket	Tube	Tape & Reel (TR)	Tube	Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 15 V	100 nC @ 10 V	46 nC @ 15 V	114 nC @ 15 V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	150°C (TJ)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-40°C ~ 175°C (TJ)
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)	MOSFET (Metal Oxide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V	650 V	650 V	1200 V
Grundproduktnummer	C3M0075120	STB42	C3M0060065	C3M0032120

C3M0075120K Datenblatt PDF

Laden Sie C3M0075120K PDF -Datenblätter und Wolfspeed, Inc. -Dokumentation für C3M0075120K - Wolfspeed, Inc. herunter.

PCN -Verpackung: Packing Update 19/Mar/2020.pdf
Datenblätter: C3M0075120K.pdf
PCN -Design/Spezifikation: C3M00y Design Chg Apr/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft: Mosfet Wafer Dia Chg Jan/2018.pdf

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Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG)	Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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