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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelC3M0032120D
Wolfspeed, Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

C3M0032120D - Wolfspeed, Inc.

Hersteller Artikelnummer
C3M0032120D
Hersteller
Wolfspeed
Allelco Artikelnummer
32D-C3M0032120D
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
C3M0032120D.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1270

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Anzahl

Spezifikation

C3M0032120D Tech -Spezifikationen
Wolfspeed, Inc. - C3M0032120D Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Wolfspeed, Inc. - C3M0032120D

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Wolfspeed  
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 11.5mA  
Vgs (Max) +15V, -4V  
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie C3M™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 40A, 15V  
Verlustleistung (max) 283W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3357 pF @ 1000 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 15 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 63A (Tc)  
Grundproduktnummer C3M0032120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Wolfspeed, Inc. C3M0032120D.

Produkteigenschaften C3M0032120D C3M0075120D C3M0021120K NTD23N03RT4G
Artikelnummer C3M0032120D C3M0075120D C3M0021120K NTD23N03RT4G
Hersteller Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc. onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3357 pF @ 1000 V 1350 pF @ 1000 V 4818 pF @ 1000 V 225 pF @ 20 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 1200 V 1200 V 25 V
Serie C3M™ C3M™ C3M™ -
Vgs (Max) +15V, -4V +19V, -8V +15V, -4V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 15 V 54 nC @ 15 V 162 nC @ 15 V 3.76 nC @ 4.5 V
Grundproduktnummer C3M0032120 C3M0075120 C3M0021120 NTD23
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 63A (Tc) 30A (Tc) 100A (Tc) 3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 40A, 15V 90mOhm @ 20A, 15V 28.8mOhm @ 50A, 15V 45mOhm @ 6A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 11.5mA 4V @ 5mA 3.6V @ 17.7mA 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 283W (Tc) 113.6W (Tc) 469W (Tc) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
Technologie SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V 15V 15V 4V, 5V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4L DPAK

C3M0032120D Datenblatt PDF

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PCN -Verpackung
Packing Update 19/Mar/2020.pdf
Datenblätter
C3M0032120D.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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