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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelC3M0120090D
Wolfspeed, Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen
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C3M0120090D - Wolfspeed, Inc.

Hersteller Artikelnummer
C3M0120090D
Hersteller
Wolfspeed
Allelco Artikelnummer
32D-C3M0120090D
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
C3M0120090D.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 7573

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Spezifikation

C3M0120090D Tech -Spezifikationen
Wolfspeed, Inc. - C3M0120090D Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Wolfspeed, Inc. - C3M0120090D

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Wolfspeed  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA  
Vgs (Max) +18V, -8V  
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie C3M™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 15A, 15V  
Verlustleistung (max) 97W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 414 pF @ 600 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.3 nC @ 15 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc)  
Grundproduktnummer C3M0120090  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Wolfspeed, Inc. C3M0120090D.

Produkteigenschaften C3M0120090D C3M0032120D C3M0120100K C3M0065090J-TR
Artikelnummer C3M0120090D C3M0032120D C3M0120100K C3M0065090J-TR
Hersteller Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc.
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 15A, 15V 43mOhm @ 40A, 15V 155mOhm @ 15A, 15V 78mOhm @ 20A, 15V
Grundproduktnummer C3M0120090 C3M0032120 C3M0120100 C3M0065090
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V 15V 15V 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.3 nC @ 15 V 114 nC @ 15 V 21.5 nC @ 15 V 30 nC @ 15 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4 TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 1200 V 1000 V 900 V
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Serie C3M™ C3M™ C3M™ C3M™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) +18V, -8V +15V, -4V ±15V +19V, -8V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Verlustleistung (max) 97W (Tc) 283W (Tc) 83W (Tc) 113W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 414 pF @ 600 V 3357 pF @ 1000 V 350 pF @ 600 V 660 pF @ 600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc) 63A (Tc) 22A (Tc) 35A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA 3.6V @ 11.5mA 3.5V @ 3mA 2.1V @ 5mA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4L TO-263-7
Technologie SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)

C3M0120090D Datenblatt PDF

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PCN -Verpackung
Packing Update 19/Mar/2020.pdf
Datenblätter
C3M0120090D.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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