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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelC3M0021120K
Wolfspeed, Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

C3M0021120K - Wolfspeed, Inc.

Hersteller Artikelnummer
C3M0021120K
Hersteller
Wolfspeed
Allelco Artikelnummer
32D-C3M0021120K
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-4
Datenblatt
C3M0021120K.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1039

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Anzahl

Spezifikation

C3M0021120K Tech -Spezifikationen
Wolfspeed, Inc. - C3M0021120K Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Wolfspeed, Inc. - C3M0021120K

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Wolfspeed  
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 17.7mA  
Vgs (Max) +15V, -4V  
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-4L  
Serie C3M™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28.8mOhm @ 50A, 15V  
Verlustleistung (max) 469W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-4  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4818 pF @ 1000 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 162 nC @ 15 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer C3M0021120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Wolfspeed, Inc. C3M0021120K.

Produkteigenschaften C3M0021120K STD6N62K3 FDP2572 C3M0021120D
Artikelnummer C3M0021120K STD6N62K3 FDP2572 C3M0021120D
Hersteller Wolfspeed, Inc. STMicroelectronics onsemi Wolfspeed, Inc.
Verlustleistung (max) 469W (Tc) 90W (Tc) 135W (Tc) 469W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) +15V, -4V ±30V ±20V +15V, -4V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-4 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 5.5A (Tc) 4A (Ta), 29A (Tc) 100A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3.6V @ 17.7mA 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA 3.6V @ 17.7mA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 620 V 150 V 1200 V
Technologie SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide)
Serie C3M™ SuperMESH3™ PowerTrench® C3M™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 162 nC @ 15 V 25.7 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 160 nC @ 15 V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28.8mOhm @ 50A, 15V 1.28Ohm @ 2.8A, 10V 54mOhm @ 9A, 10V 28.8mOhm @ 50A, 15V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V 10V 6V, 10V 15V
Supplier Device-Gehäuse TO-247-4L DPAK TO-220-3 TO-247-3
Grundproduktnummer C3M0021120 STD6 FDP25 C3M0021120
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4818 pF @ 1000 V 706 pF @ 50 V 1770 pF @ 25 V 4818 pF @ 1000 V

C3M0021120K Datenblatt PDF

Laden Sie C3M0021120K PDF -Datenblätter und Wolfspeed, Inc. -Dokumentation für C3M0021120K - Wolfspeed, Inc. herunter.

PCN -Verpackung
Packing Update 19/Mar/2020.pdf
Datenblätter
C3M0021120K.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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