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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelC3M0120090J
Wolfspeed, Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

C3M0120090J - Wolfspeed, Inc.

Hersteller Artikelnummer
C3M0120090J
Hersteller
Wolfspeed
Allelco Artikelnummer
32D-C3M0120090J
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Datenblatt
C3M0120090J.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 4688

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Spezifikation

C3M0120090J Tech -Spezifikationen
Wolfspeed, Inc. - C3M0120090J Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Wolfspeed, Inc. - C3M0120090J

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Wolfspeed  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA  
Vgs (Max) +18V, -8V  
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263-7  
Serie C3M™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 15A, 15V  
Verlustleistung (max) 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 600 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.3 nC @ 15 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)  
Grundproduktnummer C3M0120090  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Wolfspeed, Inc. C3M0120090J.

Produkteigenschaften C3M0120090J C3M0280090D C3M0075120K C3M0075120D
Artikelnummer C3M0120090J C3M0280090D C3M0075120K C3M0075120D
Hersteller Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc. Wolfspeed, Inc.
Grundproduktnummer C3M0120090 C3M0280090 C3M0075120 C3M0075120
Serie C3M™ C3M™ C3M™ C3M™
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 83W (Tc) 54W (Tc) 113.6W (Tc) 113.6W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.3 nC @ 15 V 9.5 nC @ 15 V 51 nC @ 15 V 54 nC @ 15 V
Supplier Device-Gehäuse TO-263-7 TO-247-3 TO-247-4L TO-247-3
Vgs (Max) +18V, -8V +18V, -8V +19V, -8V +19V, -8V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA 3.5V @ 1.2mA 4V @ 5mA 4V @ 5mA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 15V 15V 15V 15V
Verpackung / Gehäuse TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-247-3 TO-247-4 TO-247-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 600 V 150 pF @ 600 V 1350 pF @ 1000 V 1350 pF @ 1000 V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155mOhm @ 15A, 15V 360mOhm @ 7.5A, 15V 90mOhm @ 20A, 15V 90mOhm @ 20A, 15V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc) 11.5A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 900 V 1200 V 1200 V
Paket Tube Tube Tube Tube

C3M0120090J Datenblatt PDF

Laden Sie C3M0120090J PDF -Datenblätter und Wolfspeed, Inc. -Dokumentation für C3M0120090J - Wolfspeed, Inc. herunter.

Datenblätter
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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