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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel6HP04CH-TL-W
6HP04CH-TL-W Image
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6HP04CH-TL-W - onsemi

Hersteller Artikelnummer
6HP04CH-TL-W
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-6HP04CH-TL-W
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 370MA 3CPH
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
6HP04CH-TL-W.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4700

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Spezifikation

6HP04CH-TL-W Tech -Spezifikationen
onsemi - 6HP04CH-TL-W Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - 6HP04CH-TL-W

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 3-CPH  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 190mA, 10V  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 24.1 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.84 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 370mA (Ta)  
Grundproduktnummer 6HP04  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi 6HP04CH-TL-W.

Produkteigenschaften 6HP04CH-TL-W DMTH6009LK3Q-13 IRF7220TRPBF ZXMP7A17GTA
Artikelnummer 6HP04CH-TL-W DMTH6009LK3Q-13 IRF7220TRPBF ZXMP7A17GTA
Hersteller onsemi Diodes Incorporated Infineon Technologies Diodes Incorporated
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 190mA, 10V 10mOhm @ 13.5A, 10V 12mOhm @ 11A, 4.5V 160mOhm @ 2.1A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 14 V 70 V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id - 2V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 3-CPH TO-252-3 8-SO SOT-223-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 24.1 pF @ 20 V 1925 pF @ 30 V 8075 pF @ 10 V 635 pF @ 40 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) - 3.2W (Ta), 60W (Tc) 2.5W (Ta) 2W (Ta)
Serie - - HEXFET® -
Grundproduktnummer 6HP04 DMTH6009 - ZXMP7A17
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.84 nC @ 10 V 33.5 nC @ 10 V 125 nC @ 5 V 18 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 370mA (Ta) 14.2A (Ta), 59A (Tc) 11A (Ta) 2.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-261-4, TO-261AA

6HP04CH-TL-W Datenblatt PDF

Laden Sie 6HP04CH-TL-W PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für 6HP04CH-TL-W - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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