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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTTFS5116PLTAG
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTTFS5116PLTAG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTTFS5116PLTAG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTTFS5116PLTAG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NTTFS5116PL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 52200

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Anzahl

Spezifikation

NTTFS5116PLTAG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTTFS5116PLTAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTTFS5116PLTAG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1258 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.7A (Ta)  
Grundproduktnummer NTTFS5116  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTTFS5116PLTAG.

Produkteigenschaften NTTFS5116PLTAG NTTFS5811NLTWG NTTFS4C25NTWG NTTFS5116PLTWG
Artikelnummer NTTFS5116PLTAG NTTFS5811NLTWG NTTFS4C25NTWG NTTFS5116PLTWG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 10.3 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3V @ 250µA
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.7A (Ta) 17A (Ta), 53A (Tc) 5A (Ta), 27A (Tc) 5.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer NTTFS5116 NTTFS5 NTTFS4 NTTFS5116
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 40W (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) 690mW (Ta), 20.2W (Tc) 3.2W (Ta), 40W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 40 V 30 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 6A, 10V 6.4mOhm @ 20A, 10V 17mOhm @ 10A, 10V 52mOhm @ 6A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1258 pF @ 30 V 1570 pF @ 25 V 500 pF @ 15 V 1258 pF @ 30 V
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN

NTTFS5116PLTAG Datenblatt PDF

Laden Sie NTTFS5116PLTAG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTTFS5116PLTAG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NTTFS5116PL.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
NTTFS5116PLT/NTS12100MFST1G 09/Mar/2023.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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