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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTTFS5116PLTWG
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTTFS5116PLTWG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTTFS5116PLTWG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTTFS5116PLTWG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NTTFS5116PL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 122800

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Anzahl

Spezifikation

NTTFS5116PLTWG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTTFS5116PLTWG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTTFS5116PLTWG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1258 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.7A (Ta)  
Grundproduktnummer NTTFS5116  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTTFS5116PLTWG.

Produkteigenschaften NTTFS5116PLTWG NTTFS4C13NTAG NTTFS5820NLTAG NTTFS4C25NTAG
Artikelnummer NTTFS5116PLTWG NTTFS4C13NTAG NTTFS5820NLTAG NTTFS4C25NTAG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.7A (Ta) 7.2A (Ta) 11A (Ta), 37A (Tc) 5A (Ta), 27A (Tc)
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 40W (Tc) 780mW (Ta), 21.5W (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) 690mW (Ta), 20.2W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 7.8 nC @ 4.5 V 28 nC @ 10 V 10.3 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1258 pF @ 30 V 770 pF @ 15 V 1462 pF @ 25 V 500 pF @ 15 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 6A, 10V 9.4mOhm @ 30A, 10V 11.5mOhm @ 8.7A, 10V 17mOhm @ 10A, 10V
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 30 V 60 V 30 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Grundproduktnummer NTTFS5116 NTTFS4 NTTFS5820 NTTFS4

NTTFS5116PLTWG Datenblatt PDF

Laden Sie NTTFS5116PLTWG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTTFS5116PLTWG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NTTFS5116PL.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
NTTFS5116PLT/NTS12100MFST1G 09/Mar/2023.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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