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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTTFS5811NLTAG
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTTFS5811NLTAG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTTFS5811NLTAG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTTFS5811NLTAG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 17A/53A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NTTFS5811NL.pdf
vorrätig: 4680

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Spezifikation

NTTFS5811NLTAG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTTFS5811NLTAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTTFS5811NLTAG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta), 33W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Ta), 53A (Tc)  
Grundproduktnummer NTTFS5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTTFS5811NLTAG.

Produkteigenschaften NTTFS5811NLTAG NTTFS5C453NLTAG NTTFS5820NLTWG NTTFS5826NLTAG
Artikelnummer NTTFS5811NLTAG NTTFS5C453NLTAG NTTFS5820NLTWG NTTFS5826NLTAG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Ta), 53A (Tc) 23A (Ta), 107A (Tc) 11A (Ta), 37A (Tc) 8A (Ta)
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Verlustleistung (max) 2.7W (Ta), 33W (Tc) 3.3W (Ta), 68W (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) 3.1W (Ta), 19W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 20A, 10V 3mOhm @ 40A, 10V 11.5mOhm @ 8.7A, 10V 24mOhm @ 7.5A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Grundproduktnummer NTTFS5 NTTFS5 NTTFS5 NTTFS5826
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.3V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 60 V 60 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 25 V 2100 pF @ 25 V 1462 pF @ 25 V 850 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

NTTFS5811NLTAG Datenblatt PDF

Laden Sie NTTFS5811NLTAG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTTFS5811NLTAG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Oct/2014.pdf Mult Dev EOL 29/Mar/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Capacity 27/Jul/2020.pdf
Datenblätter
NTTFS5811NL.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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