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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTTFS4H05NTWG
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NTTFS4H05NTWG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTTFS4H05NTWG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTTFS4H05NTWG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 22.4A/94A 8WDFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
NTTFS4H05N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4210

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Anzahl

Spezifikation

NTTFS4H05NTWG Tech -Spezifikationen
onsemi - NTTFS4H05NTWG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTTFS4H05NTWG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.66W (Ta), 46.3W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1205 pF @ 12 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.9 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22.4A (Ta), 94A (Tc)  
Grundproduktnummer NTTFS4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTTFS4H05NTWG.

Produkteigenschaften NTTFS4H05NTWG NTTFS5811NLTWG NTTFS4C25NTAG NTTFS4C13NTAG
Artikelnummer NTTFS4H05NTWG NTTFS5811NLTWG NTTFS4C25NTAG NTTFS4C13NTAG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22.4A (Ta), 94A (Tc) 17A (Ta), 53A (Tc) 5A (Ta), 27A (Tc) 7.2A (Ta)
Grundproduktnummer NTTFS4 NTTFS5 NTTFS4 NTTFS4
Verlustleistung (max) 2.66W (Ta), 46.3W (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) 690mW (Ta), 20.2W (Tc) 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 40 V 30 V 30 V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 30A, 10V 6.4mOhm @ 20A, 10V 17mOhm @ 10A, 10V 9.4mOhm @ 30A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1205 pF @ 12 V 1570 pF @ 25 V 500 pF @ 15 V 770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.9 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 10.3 nC @ 10 V 7.8 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

NTTFS4H05NTWG Datenblatt PDF

Laden Sie NTTFS4H05NTWG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTTFS4H05NTWG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
Datenblätter
NTTFS4H05N.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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