Spezifikation
BSV236SP L6327 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSV236SP L6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSV236SP L6327
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
Infineon Technologies |
|
| VGS (th) (Max) @ Id |
1.2V @ 8µA |
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| Vgs (Max) |
±12V |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
PG-SOT363-PO |
|
| Serie |
OptiMOS™ |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
175mOhm @ 1.5A, 4.5V |
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| Verlustleistung (max) |
560mW (Ta) |
|
| Verpackung / Gehäuse |
6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
|
| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
|
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
228 pF @ 15 V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
5.7 nC @ 4.5 V |
|
| Typ FET |
P-Channel |
|
| FET-Merkmal |
- |
|
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
2.5V, 4.5V |
|
| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
20 V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
1.5A (Ta) |
|
Lieferung
Lieferzeit
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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)
Versandart
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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BSV-1.8S7R0MBellnix Co., LTD.
AON6518Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V 48A/85A 8DFN
FCH043N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
DMP6023LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
BSV52LT1GonsemiTRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3
FDS4435AonsemiMOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
BSV236SPCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IRLL2705TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
TK40A06N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 60V 40A TO220SIS