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Nordamerika
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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR2110-1PBF
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IR2110-1PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2110-1PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2110-1PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
Verpackung
14-DIP (0.300', 7.62mm), 13 Leads
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 6460

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Spezifikation

IR2110-1PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2110-1PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2110-1PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 14-PDIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns  
Verpackung / Gehäuse 14-DIP (0.300', 7.62mm), 13 Leads  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IR2110  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2110-1PBF.

Produkteigenschaften IR2110-1PBF IR2110-1 IR2109PBF IR21094STRPBF
Artikelnummer IR2110-1PBF IR2110-1 IR2109PBF IR21094STRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V 500 V 600 V 600 V
Serie - - - -
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns 25ns, 17ns 150ns, 50ns 150ns, 50ns
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Ladestrom Independent Independent Synchronous Synchronous
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Supplier Device-Gehäuse 14-PDIP 14-PDIP 8-PDIP 14-SOIC
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 0.8V, 2.9V 0.8V, 2.9V
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 14-DIP (0.300', 7.62mm), 13 Leads 14-DIP (0.300', 7.62mm), 13 Leads 8-DIP (0.300", 7.62mm) 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A 2A, 2A 200mA, 350mA 200mA, 350mA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Grundproduktnummer IR2110 IR2110 IR2109 IR21094

IR2110-1PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR2110-1PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2110-1PBF - Infineon Technologies herunter.

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Part Number Guide.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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32D-IR2110-1PBF

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