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IR2110 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2110
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2110
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
14-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
vorrätig: 10210

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Spezifikation

IR2110 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2110 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2110

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 14-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns  
Verpackung / Gehäuse 14-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IR2110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2110.

Produkteigenschaften IR2110 IR21094STRPBF IR2110-2PBF IR2109STR
Artikelnummer IR2110 IR21094STRPBF IR2110-2PBF IR2109STR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Supplier Device-Gehäuse 14-DIP 14-SOIC 16-PDIP 8-SOIC
Serie - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns 150ns, 50ns 25ns, 17ns 150ns, 50ns
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Ladestrom Independent Synchronous Independent Synchronous
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V 600 V 500 V 600 V
Grundproduktnummer IR2110 IR21094 IR2110 IR2109
Verpackung / Gehäuse 14-DIP (0.300', 7.62mm) 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 16-DIP (0.300', 7.62mm), 14 Leads 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 0.8V, 2.9V 6V, 9.5V 0.8V, 2.9V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A 200mA, 350mA 2A, 2A 200mA, 350mA

IR2110 Datenblatt PDF

Laden Sie IR2110 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2110 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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