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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6721STRPBF
International Rectifier
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IRF6721STRPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRF6721STRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6721STRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric SQ
Datenblatt
IRF6721STRPBF.pdf
vorrätig: 70670

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Spezifikation

IRF6721STRPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRF6721STRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRF6721STRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric SQ  
Serie DirectFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SQ  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 60A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRF6721STRPBF.

Produkteigenschaften IRF6721STRPBF IRF6727MTRPBF IRF6727MTR1PBF IRF6725MTRPBF
Artikelnummer IRF6721STRPBF IRF6727MTRPBF IRF6727MTR1PBF IRF6725MTRPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric SQ DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric SQ DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V 74 nC @ 4.5 V 74 nC @ 4.5 V 54 nC @ 4.5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 60A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc) 28A (Ta), 170A (Tc)
Serie DirectFET™ HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 15 V 6190 pF @ 15 V 6190 pF @ 15 V 4700 pF @ 15 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3mOhm @ 14A, 10V 1.7mOhm @ 32A, 10V 1.7mOhm @ 32A, 10V 2.2mOhm @ 28A, 10V

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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