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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRF6723M2DTRPBF
Infineon Technologies
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IRF6723M2DTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6723M2DTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6723M2DTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MA
Datenblatt
IRF6723M2DTR(1)PbF.pdf
vorrätig: 4650

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Spezifikation

IRF6723M2DTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6723M2DTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6723M2DTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MA  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 15A, 10V  
Leistung - max 2.7W  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF6723  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6723M2DTRPBF.

Produkteigenschaften IRF6723M2DTRPBF IRF6718L2TRPBF IRF6715MTRPBF IRF6775MTR1PBF
Artikelnummer IRF6723M2DTRPBF IRF6718L2TRPBF IRF6715MTRPBF IRF6775MTR1PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A 61A (Ta), 270A (Tc) 34A (Ta), 180A (Tc) 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Leistung - max 2.7W - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 15A, 10V 0.7mOhm @ 61A, 10V 1.6mOhm @ 34A, 10V 56mOhm @ 5.6A, 10V
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MA DirectFET™ Isometric L6 DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MZ
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 15V 6500 pF @ 13 V 5340 pF @ 13 V 1411 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 150µA 2.4V @ 100µA 5V @ 100µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V 96 nC @ 4.5 V 59 nC @ 4.5 V 36 nC @ 10 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) - - -
Grundproduktnummer IRF6723 - - -
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MA DIRECTFET L6 DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MZ
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 25 V 25 V 150 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRF6723M2DTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6723M2DTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6723M2DTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRF6723M2DTR(1)PbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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