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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6727MTRPBF
Infineon Technologies
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IRF6727MTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6727MTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6727MTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MX
Datenblatt
IRF6727MTRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 37446

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Anzahl

Spezifikation

IRF6727MTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6727MTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6727MTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 32A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6190 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Ta), 180A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF6727  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6727MTRPBF.

Produkteigenschaften IRF6727MTRPBF IRF6725MTR1PBF IRF6729MTRPBF IRF6722STR1PBF
Artikelnummer IRF6727MTRPBF IRF6725MTR1PBF IRF6729MTRPBF IRF6722STR1PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 4.5 V 54 nC @ 4.5 V 63 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric ST
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6190 pF @ 15 V 4700 pF @ 15 V 6030 pF @ 15 V 1320 pF @ 15 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer IRF6727 - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 150µA 2.4V @ 50µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Ta), 180A (Tc) 28A (Ta), 170A (Tc) 31A (Ta), 190A (Tc) 13A (Ta), 58A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 32A, 10V 2.2mOhm @ 28A, 10V 1.8mOhm @ 31A, 10V 7.3mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ ST
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

IRF6727MTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6727MTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6727MTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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