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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6775MTR1PBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF6775MTR1PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6775MTR1PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6775MTR1PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MZ
Datenblatt
IRF6775MTR1PBF.pdf
vorrätig: 4490

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Anzahl

Spezifikation

IRF6775MTR1PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6775MTR1PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6775MTR1PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MZ  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 5.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MZ  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1411 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.9A (Ta), 28A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6775MTR1PBF.

Produkteigenschaften IRF6775MTR1PBF IRF6727MTRPBF IRF6795MTRPBF IRF6726MTRPBF
Artikelnummer IRF6775MTR1PBF IRF6727MTRPBF IRF6795MTRPBF IRF6726MTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 5.6A, 10V 1.7mOhm @ 32A, 10V 1.8mOhm @ 32A, 10V 1.7mOhm @ 32A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 74 nC @ 4.5 V 53 nC @ 4.5 V 77 nC @ 4.5 V
FET-Merkmal - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MT
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 75W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.9A (Ta), 28A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc) 32A (Ta), 160A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 150µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 30 V 25 V 30 V
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MT
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1411 pF @ 25 V 6190 pF @ 15 V 4280 pF @ 13 V 6140 pF @ 15 V

IRF6775MTR1PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6775MTR1PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6775MTR1PBF - Infineon Technologies herunter.

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