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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6775MTRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF6775MTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6775MTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6775MTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MZ
Datenblatt
IRF6775MTRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 31310

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Anzahl

Spezifikation

IRF6775MTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6775MTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6775MTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MZ  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 5.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MZ  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1411 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.9A (Ta), 28A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF6775  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6775MTRPBF.

Produkteigenschaften IRF6775MTRPBF IRF6726MTRPBF IRF6797MTRPBF IRF6798MTRPBF
Artikelnummer IRF6775MTRPBF IRF6726MTRPBF IRF6797MTRPBF IRF6798MTRPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 5.6A, 10V 1.7mOhm @ 32A, 10V 1.4mOhm @ 38A, 10V 1.3mOhm @ 37A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 30 V 25 V 25 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MZ DirectFET™ Isometric MT DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric MX
FET-Merkmal - - - Schottky Diode (Body)
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MZ DIRECTFET™ MT DIRECTFET™ MX DIRECTFET™ MX
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.9A (Ta), 28A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc) 36A (Ta), 210A (Tc) 37A (Ta), 197A (Tc)
Grundproduktnummer IRF6775 - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 2.35V @ 150µA 2.35V @ 150µA 2.35V @ 150µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 77 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 75 nC @ 4.5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1411 pF @ 25 V 6140 pF @ 15 V 5790 pF @ 13 V 6560 pF @ 13 V

IRF6775MTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6775MTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6775MTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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