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IRF7663TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7663TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7663TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt
IRF7663.pdf
vorrätig: 4480

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Anzahl

Spezifikation

IRF7663TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7663TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7663TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro8™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7A, 4.5V  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2520 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.2A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7663TR.

Produkteigenschaften IRF7663TR IRF7606TR IRF7665S2TRPBF IRF7700TRPBF
Artikelnummer IRF7663TR IRF7606TR IRF7665S2TRPBF IRF7700TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) DirectFET™ Isometric SB 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 100 V 20 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2520 pF @ 10 V 520 pF @ 25 V 515 pF @ 25 V 4300 pF @ 15 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA 5V @ 25µA 1.2V @ 250µA
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 5 V 30 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 89 nC @ 5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse Micro8™ Micro8™ DirectFET™ Isometric SB 8-TSSOP
FET-Merkmal - - - -
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.2A (Ta) 3.6A (Ta) 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7A, 4.5V 90mOhm @ 2.4A, 10V 62mOhm @ 8.9A, 10V 15mOhm @ 8.6A, 4.5V

IRF7663TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7663TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7663TR - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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