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IRF7663TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7663TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7663TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
Verpackung
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt
IRF7663.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4480

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Spezifikation

IRF7663TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7663TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7663TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro8™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7A, 4.5V  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2520 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.2A (Ta)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status RoHS nicht konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7663TR.

Produkteigenschaften IRF7663TR IRF7702 IRF7702TRPBF IRF7702TR
Artikelnummer IRF7663TR IRF7702 IRF7702TRPBF IRF7702TR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 12 V 12 V 12 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2520 pF @ 10 V 3470 pF @ 10 V 3470 pF @ 10 V 3470 pF @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 5 V 81 nC @ 4.5 V 81 nC @ 4.5 V 81 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse Micro8™ 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
FET-Merkmal - - - -
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.2A (Ta) 8A (Tc) 8A (Tc) 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7A, 4.5V 14mOhm @ 8A, 4.5V 14mOhm @ 8A, 4.5V 14mOhm @ 8A, 4.5V

IRF7663TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7663TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7663TR - Infineon Technologies herunter.

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Gen 8 Rev2 08/Jul/2011.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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