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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7663
IRF7663 Image
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IRF7663 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7663
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7663
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt
IRF7663.pdf
vorrätig: 4940

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Spezifikation

IRF7663 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7663 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7663

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro8™  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2520 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.2A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7663.

Produkteigenschaften IRF7663 IRF7702 IRF7700TRPBF IRF7702TR
Artikelnummer IRF7663 IRF7702 IRF7700TRPBF IRF7702TR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2520 pF @ 10 V 3470 pF @ 10 V 4300 pF @ 15 V 3470 pF @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 5 V 81 nC @ 4.5 V 89 nC @ 5 V 81 nC @ 4.5 V
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.2A (Ta) 8A (Tc) 8.6A (Tc) 8A (Tc)
Vgs (Max) ±12V ±8V ±12V ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 12 V 20 V 12 V
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) 1.5W (Tc) 1.5W (Tc) 1.5W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse Micro8™ 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7A, 4.5V 14mOhm @ 8A, 4.5V 15mOhm @ 8.6A, 4.5V 14mOhm @ 8A, 4.5V

IRF7663 Datenblatt PDF

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Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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