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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7607TRPBF
International Rectifier
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF7607TRPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRF7607TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7607TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IRF7607 - 12V-300V N-CHANNEL POW
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt
IRF7607TRPBF.pdf
vorrätig: 5490

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Spezifikation

IRF7607TRPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRF7607TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRF7607TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro8™  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta)  
Grundproduktnummer IRF7607  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRF7607TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7607TRPBF IRF7700TRPBF IRF7663TR IRF7701TR
Artikelnummer IRF7607TRPBF IRF7700TRPBF IRF7663TR IRF7701TR
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta) 8.6A (Tc) 8.2A (Ta) 10A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 15 V 4300 pF @ 15 V 2520 pF @ 10 V 5050 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±12V ±12V - ±8V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IRF7607 - - -
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse Micro8™ 8-TSSOP Micro8™ 8-TSSOP
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 12 V
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) 1.5W (Tc) - 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 15mOhm @ 8.6A, 4.5V 20mOhm @ 7A, 4.5V 11mOhm @ 10A, 4.5V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V - 1.8V, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V 89 nC @ 5 V 45 nC @ 5 V 100 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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