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IRF7700TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7700TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7700TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 8.6A 8TSSOP
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
IRF7700.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 5260

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Spezifikation

IRF7700TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7700TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7700TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8.6A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.6A (Tc)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7700TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7700TRPBF IRF7702 IRF7704TRPBF IRF7704
Artikelnummer IRF7700TRPBF IRF7702 IRF7704TRPBF IRF7704
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8.6A, 4.5V 14mOhm @ 8A, 4.5V 46mOhm @ 4.6A, 10V 46mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 5 V 81 nC @ 4.5 V 38 nC @ 4.5 V 38 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 15 V 3470 pF @ 10 V 3150 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.6A (Tc) 8A (Tc) 4.6A (Ta) 4.6A (Ta)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 12 V 40 V 40 V
Verlustleistung (max) 1.5W (Tc) 1.5W (Tc) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (Max) ±12V ±8V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRF7700TRPBF Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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