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IRFI1010NPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFI1010NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFI1010NPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRFI1010NPbF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3640

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Anzahl

Spezifikation

IRFI1010NPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFI1010NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFI1010NPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 26A, 10V  
Verlustleistung (max) 58W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFI1010NPBF.

Produkteigenschaften IRFI1010NPBF IRFHS8342TR2PBF IRFI1310N IRFHS8242TRPBF
Artikelnummer IRFI1010NPBF IRFHS8342TR2PBF IRFI1310N IRFHS8242TRPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 653 pF @ 10 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 30 V 100 V 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 10.4 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Tc) 8.8A (Ta), 19A (Tc) 24A (Tc) 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.35V @ 25µA 4V @ 250µA 2.35V @ 25µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack 6-PowerVDFN TO-220-3 Full Pack 6-PowerVDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 26A, 10V 16mOhm @ 8.5A, 10V 36mOhm @ 13A, 10V 13mOhm @ 8.5A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 58W (Tc) - 56W (Tc) 2.1W (Ta)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak PG-TSDSON-6 PG-TO220-FP 6-PQFN (2x2) (DFN2020)

IRFI1010NPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFI1010NPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFI1010NPBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRFI1010NPbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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