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IRFI1310NPBF Image
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IRFI1310NPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFI1310NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFI1310NPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRFI1310NPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 34301

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Anzahl

Spezifikation

IRFI1310NPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFI1310NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFI1310NPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 56W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFI1310  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFI1310NPBF.

Produkteigenschaften IRFI1310NPBF IRFI3306GPBF IRFHS8342TRPBF IRFI3205PBF
Artikelnummer IRFI1310NPBF IRFI3306GPBF IRFHS8342TRPBF IRFI3205PBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 4685 pF @ 50 V 600 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IRFI1310 - IRFHS8342 IRFI3205
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak PG-TO220 Full Pack PG-TSDSON-6 TO-220AB Full-Pak
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack 6-PowerVDFN TO-220-3 Full Pack
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 71A (Tc) 8.8A (Ta), 19A (Tc) 64A (Tc)
Verlustleistung (max) 56W (Tc) 46W (Tc) 2.1W (Ta) 63W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 1.037mA 2.35V @ 25µA 4V @ 250µA
Paket Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 30 V 55 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 13A, 10V 4.2mOhm @ 43A, 10V 16mOhm @ 8.5A, 10V 8mOhm @ 34A, 10V

IRFI1310NPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFI1310NPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFI1310NPBF - Infineon Technologies herunter.

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