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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFI1310N
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFI1310N - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFI1310N
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFI1310N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRFI1310N.pdf
vorrätig: 4040

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Spezifikation

IRFI1310N Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFI1310N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFI1310N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 56W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFI1310N.

Produkteigenschaften IRFI1310N IRFHS8342TRPBF IRFI3306GPBF IRFI1310NPBF
Artikelnummer IRFI1310N IRFHS8342TRPBF IRFI3306GPBF IRFI1310NPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.35V @ 25µA 4V @ 1.037mA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V 4685 pF @ 50 V 1900 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP PG-TSDSON-6 PG-TO220 Full Pack TO-220AB Full-Pak
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack 6-PowerVDFN TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 30 V 60 V 100 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 56W (Tc) 2.1W (Ta) 46W (Tc) 56W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 13A, 10V 16mOhm @ 8.5A, 10V 4.2mOhm @ 43A, 10V 36mOhm @ 13A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 8.8A (Ta), 19A (Tc) 71A (Tc) 24A (Tc)

IRFI1310N Datenblatt PDF

Laden Sie IRFI1310N PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFI1310N - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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