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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRFHS9351TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFHS9351TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFHS9351TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFHS9351TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-VQFN Exposed Pad
Datenblatt
IRFHS9351TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 131200

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Anzahl

Spezifikation

IRFHS9351TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFHS9351TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFHS9351TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 10µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-PQFN (2x2)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 3.1A, 10V  
Leistung - max 1.4W  
Verpackung / Gehäuse 6-VQFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRFHS9351  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFHS9351TRPBF.

Produkteigenschaften IRFHS9351TRPBF IRFHM9391TRPBF IRFI1310NPBF IRFI3205PBF MOS
Artikelnummer IRFHS9351TRPBF IRFHM9391TRPBF IRFI1310NPBF IRFI3205PBF MOS
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies IR
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube -
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Verpackung / Gehäuse 6-VQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN TO-220-3 Full Pack -
Supplier Device-Gehäuse 6-PQFN (2x2) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 TO-220AB Full-Pak -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 10V 16 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A 11A (Ta) 24A (Tc) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V 1543 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30 V 100 V -
Grundproduktnummer IRFHS9351 - IRFI1310 -
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 10µA 2.4V @ 25µA 4V @ 250µA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 3.1A, 10V 14.6mOhm @ 11A, 10V 36mOhm @ 13A, 10V -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Leistung - max 1.4W - - -

IRFHS9351TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFHS9351TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFHS9351TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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