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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL1004LPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRL1004LPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL1004LPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL1004LPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 130A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRL1004LPBF.pdf
vorrätig: 5450

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Anzahl

Spezifikation

IRL1004LPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL1004LPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL1004LPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 78A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5330 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL1004LPBF.

Produkteigenschaften IRL1004LPBF IRL1104PBF IRL1104S IRL1004
Artikelnummer IRL1004LPBF IRL1104PBF IRL1104S IRL1004
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5330 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 5330 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-220AB D2PAK TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc) 104A (Tc) 104A (Tc) 130A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 78A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 6.5mOhm @ 78A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 167W (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) 200W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 100 nC @ 4.5 V

IRL1004LPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL1004LPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL1004LPBF - Infineon Technologies herunter.

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