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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL1004S
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IRL1004S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL1004S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL1004S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL1004S, IRL1004L.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 3640

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Spezifikation

IRL1004S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL1004S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL1004S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 78A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5330 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL1004  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status RoHS nicht konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL1004S.

Produkteigenschaften IRL1004S IRL100HS121 IRL1104S IRL1004PBF
Artikelnummer IRL1004S IRL100HS121 IRL1104S IRL1004PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.3V @ 10µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5330 pF @ 25 V 440 pF @ 50 V 3445 pF @ 25 V 5330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V 5.6 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 100 nC @ 4.5 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±16V ±20V ±16V ±16V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 100 V 40 V 40 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 11.5W (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) 200W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 6-PowerVDFN TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc) 11A (Tc) 104A (Tc) 130A (Tc)
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse D2PAK 6-PQFN Dual (2x2) D2PAK TO-220AB
Grundproduktnummer IRL1004 IRL100 - IRL1004
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 78A, 10V 42mOhm @ 6.7A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 6.5mOhm @ 78A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IRL1004S Datenblatt PDF

Laden Sie IRL1004S PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL1004S - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRL1004S, IRL1004L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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