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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL1004PBF
IRL1004PBF Image
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IRL1004PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL1004PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL1004PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL1004PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 23055

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Anzahl

Spezifikation

IRL1004PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL1004PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL1004PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 78A, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5330 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL1004  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL1004PBF.

Produkteigenschaften IRL1004PBF IRL1004S IRL1104 IRL100HS121
Artikelnummer IRL1004PBF IRL1004S IRL1104 IRL100HS121
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK TO-220AB 6-PQFN Dual (2x2)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 6-PowerVDFN
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V 100 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 5.6 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 100 V
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc) 130A (Tc) 104A (Tc) 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 78A, 10V 6.5mOhm @ 78A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 42mOhm @ 6.7A, 10V
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 167W (Tc) 11.5W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.3V @ 10µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer IRL1004 IRL1004 - IRL100
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5330 pF @ 25 V 5330 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 440 pF @ 50 V

IRL1004PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL1004PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL1004PBF - Infineon Technologies herunter.

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