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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL1004PBF
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IRL1004PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL1004PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL1004PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL1004PBF.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 23055

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Spezifikation

IRL1004PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL1004PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL1004PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 78A, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5330 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL1004  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL1004PBF.

Produkteigenschaften IRL1004PBF IRL1004SPBF IRL1004LPBF IRL1004
Artikelnummer IRL1004PBF IRL1004SPBF IRL1004LPBF IRL1004
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK TO-262 TO-220AB
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V 100 nC @ 4.5 V 100 nC @ 4.5 V 100 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc) 130A (Tc) 130A (Tc) 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 78A, 10V 6.5mOhm @ 78A, 10V 6.5mOhm @ 78A, 10V 6.5mOhm @ 78A, 10V
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 200W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer IRL1004 IRL1004 - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5330 pF @ 25 V 5330 pF @ 25 V 5330 pF @ 25 V 5330 pF @ 25 V

IRL1004PBF Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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