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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL1004
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IRL1004 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL1004
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL1004
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL1004.pdf
vorrätig: 5210

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Anzahl

Spezifikation

IRL1004 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL1004 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL1004

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 78A, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5330 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL1004.

Produkteigenschaften IRL1004 IRL1104LPBF IRL100HS121 IRL1104S
Artikelnummer IRL1004 IRL1104LPBF IRL100HS121 IRL1104S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.3V @ 10µA 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±16V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 6-PowerVDFN TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) 11.5W (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc) 104A (Tc) 11A (Tc) 104A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5330 pF @ 25 V 3445 pF @ 25 V 440 pF @ 50 V 3445 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-262 6-PQFN Dual (2x2) D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V 5.6 nC @ 4.5 V 68 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 100 V 40 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 78A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 42mOhm @ 6.7A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®

IRL1004 Datenblatt PDF

Laden Sie IRL1004 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL1004 - Infineon Technologies herunter.

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