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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLI2203NPBF
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IRLI2203NPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLI2203NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLI2203NPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRLI2203NPbF.pdf
vorrätig: 3870

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Spezifikation

IRLI2203NPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLI2203NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLI2203NPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 37A, 10V  
Verlustleistung (max) 47W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 61A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLI2203NPBF.

Produkteigenschaften IRLI2203NPBF IRLI2910 IRLI2505 IRLI2203N
Artikelnummer IRLI2203NPBF IRLI2910 IRLI2505 IRLI2203N
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 100 V 55 V 30 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 3700 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 4.5 V 140 nC @ 5 V 130 nC @ 5 V 110 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 37A, 10V 26mOhm @ 16A, 10V 8mOhm @ 31A, 10V 7mOhm @ 37A, 10V
Verlustleistung (max) 47W (Tc) 63W (Tc) 63W (Tc) 47W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak PG-TO220-FP PG-TO220-FP
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 61A (Tc) 31A (Tc) 58A (Tc) 61A (Tc)
FET-Merkmal - - - -

IRLI2203NPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLI2203NPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLI2203NPBF - Infineon Technologies herunter.

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Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 19/Jun/2012.pdf
Datenblätter
IRLI2203NPbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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