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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLI2203N
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRLI2203N - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLI2203N
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLI2203N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRLI2203N.pdf
vorrätig: 3770

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Spezifikation

IRLI2203N Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLI2203N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLI2203N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 37A, 10V  
Verlustleistung (max) 47W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 61A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLI2203N.

Produkteigenschaften IRLI2203N IRLI2505 IRLI2910PBF IRLHS6342TRPBF
Artikelnummer IRLI2203N IRLI2505 IRLI2910PBF IRLHS6342TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 61A (Tc) 58A (Tc) 31A (Tc) 8.7A (Ta), 19A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 55 V 100 V 30 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 4.5 V 130 nC @ 5 V 140 nC @ 5 V 11 nC @ 4.5 V
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP PG-TO220-FP TO-220AB Full-Pak 6-PQFN (2x2)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 47W (Tc) 63W (Tc) 63W (Tc) 2.1W (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1.1V @ 10µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 3700 pF @ 25 V 1019 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack 6-PowerVDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 37A, 10V 8mOhm @ 31A, 10V 26mOhm @ 16A, 10V 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -

IRLI2203N Datenblatt PDF

Laden Sie IRLI2203N PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLI2203N - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRLI2203N.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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