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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLI2505
Infineon Technologies
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IRLI2505 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLI2505
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLI2505
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 58A TO220AB FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRLI2505.pdf
vorrätig: 4830

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Anzahl

Spezifikation

IRLI2505 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLI2505 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLI2505

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 31A, 10V  
Verlustleistung (max) 63W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLI2505.

Produkteigenschaften IRLI2505 IRLI2203NPBF IRLHS6342TRPBF IRLI2203N
Artikelnummer IRLI2505 IRLI2203NPBF IRLHS6342TRPBF IRLI2203N
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 1.1V @ 10µA 1V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 1019 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 63W (Tc) 47W (Tc) 2.1W (Ta) 47W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP TO-220AB Full-Pak 6-PQFN (2x2) PG-TO220-FP
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 5 V 110 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 110 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack 6-PowerVDFN TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±16V ±16V ±12V ±16V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 30 V 30 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc) 61A (Tc) 8.7A (Ta), 19A (Tc) 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 31A, 10V 7mOhm @ 37A, 10V 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V 7mOhm @ 37A, 10V
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube

IRLI2505 Datenblatt PDF

Laden Sie IRLI2505 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLI2505 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
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PCN -Obsoleszenz/ EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRLI2505.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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