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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLI2910
IRLI2910 Image
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IRLI2910 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLI2910
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLI2910
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRLI2910.pdf
vorrätig: 4950

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Anzahl

Spezifikation

IRLI2910 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLI2910 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLI2910

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 63W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLI2910.

Produkteigenschaften IRLI2910 IRLI2203NPBF IRLI2910PBF IRLHS6342TRPBF
Artikelnummer IRLI2910 IRLI2203NPBF IRLI2910PBF IRLHS6342TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack 6-PowerVDFN
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±12V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc) 61A (Tc) 31A (Tc) 8.7A (Ta), 19A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 5 V 110 nC @ 4.5 V 140 nC @ 5 V 11 nC @ 4.5 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 30 V 100 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 16A, 10V 7mOhm @ 37A, 10V 26mOhm @ 16A, 10V 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 1.1V @ 10µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 63W (Tc) 47W (Tc) 63W (Tc) 2.1W (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 3700 pF @ 25 V 1019 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 2.5V, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak 6-PQFN (2x2)

IRLI2910 Datenblatt PDF

Laden Sie IRLI2910 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLI2910 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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