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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLI2910PBF
IRLI2910PBF Image
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IRLI2910PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLI2910PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLI2910PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRLI2910PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5190

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Anzahl

Spezifikation

IRLI2910PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLI2910PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLI2910PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 63W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLI2910PBF.

Produkteigenschaften IRLI2910PBF IRLI2203NPBF IRLI2910 IRLI2203N
Artikelnummer IRLI2910PBF IRLI2203NPBF IRLI2910 IRLI2203N
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak PG-TO220-FP
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 3700 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 16A, 10V 7mOhm @ 37A, 10V 26mOhm @ 16A, 10V 7mOhm @ 37A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc) 61A (Tc) 31A (Tc) 61A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 5 V 110 nC @ 4.5 V 140 nC @ 5 V 110 nC @ 4.5 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 30 V 100 V 30 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 63W (Tc) 47W (Tc) 63W (Tc) 47W (Tc)

IRLI2910PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLI2910PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLI2910PBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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