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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMHC3025LSDQ-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMHC3025LSDQ-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMHC3025LSDQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMHC3025LSDQ-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
DMHC3025LSDQ-13~.pdf
RoHS Status
vorrätig: 56330

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Anzahl

Spezifikation

DMHC3025LSDQ-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMHC3025LSDQ-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMHC3025LSDQ-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V  
Leistung - max 1.5W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.7nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A, 4.2A  
Konfiguration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer DMHC3025  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMHC3025LSDQ-13.

Produkteigenschaften DMHC3025LSDQ-13 IRF7314TRPBF DMHC10H170SFJ-13 SH8KA2GZETB
Artikelnummer DMHC3025LSDQ-13 IRF7314TRPBF DMHC10H170SFJ-13 SH8KA2GZETB
Hersteller Diodes Incorporated Infineon Technologies Diodes Incorporated Rohm Semiconductor
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.7nC @ 10V 29nC @ 4.5V 9.7nC @ 10V 8nC @ 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Grundproduktnummer DMHC3025 IRF731 DMHC10 SH8KA2
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 12-VDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO V-DFN5045-12 8-SOP
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - Logic Level Gate - -
Serie - HEXFET® - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 15V 780pF @ 15V 1167pF @ 25V 330pF @ 15V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V 58mOhm @ 2.9A, 4.5V 160mOhm @ 5A, 10V 28mOhm @ 8A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 100V 30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A, 4.2A 5.3A 2.9A, 2.3A 8A
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 700mV @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 1mA
Leistung - max 1.5W 2W 2.1W 2.8W
Konfiguration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 P-Channel (Dual) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)

DMHC3025LSDQ-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMHC3025LSDQ-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMHC3025LSDQ-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DMHC3025LSDQ-13~.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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